BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 34.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC123N08NS3GATMA1 за ціною від 24.84 грн до 144.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD On-state resistance: 12.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 55A Power dissipation: 66W Drain-source voltage: 80V |
на замовлення 3152 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 39305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 54291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 42311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V |
на замовлення 34260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|