Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC123N08NS3GATMA1
BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC123N08NS3GATMA1 за ціною від 23.46 грн до 141.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.90 грн
12+36.31 грн
25+33.16 грн
50+31.05 грн
100+29.11 грн
250+27.09 грн
500+25.88 грн
1000+24.91 грн
2500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
10+45.25 грн
25+39.79 грн
50+37.26 грн
100+34.93 грн
250+32.51 грн
500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+78.75 грн
202+61.64 грн
500+52.83 грн
1000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+88.71 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 39305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+88.71 грн
326+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.89 грн
12+73.50 грн
100+57.65 грн
500+43.83 грн
1000+36.20 грн
5000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC123N08NS3G_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 42311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.87 грн
10+74.73 грн
100+50.93 грн
500+43.86 грн
1000+40.21 грн
2500+40.14 грн
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.79 грн
10+84.64 грн
100+66.24 грн
500+54.75 грн
1000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 54760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.08 грн
10+86.53 грн
100+58.35 грн
500+43.44 грн
1000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.