Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC123N08NS3GATMA1
BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 39475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
330+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC123N08NS3GATMA1 за ціною від 29.25 грн до 140.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.88 грн
10+56.33 грн
100+43.78 грн
250+41.57 грн
500+39.54 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.21 грн
12+69.40 грн
100+54.44 грн
500+41.39 грн
1000+34.18 грн
5000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC123N08NS3G_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.97 грн
10+89.16 грн
100+52.23 грн
500+41.37 грн
1000+37.43 грн
5000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.35 грн
10+86.05 грн
100+58.02 грн
500+43.18 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G-DTE.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+85.88 грн
10+56.33 грн
100+43.78 грн
250+41.57 грн
500+39.54 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+96.21 грн
12+69.40 грн
100+54.44 грн
500+41.39 грн
1000+34.18 грн
5000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 Infineon_BSC123N08NS3G_DS_v02_05_en.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.97 грн
10+89.16 грн
100+52.23 грн
500+41.37 грн
1000+37.43 грн
5000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.35 грн
10+86.05 грн
100+58.02 грн
500+43.18 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.