Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC123N08NS3GATMA1
BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC123N08NS3GATMA1 за ціною від 22.80 грн до 131.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 205000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 205000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+72.68 грн
11+55.42 грн
25+54.82 грн
100+47.82 грн
250+44.01 грн
500+37.06 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+99.47 грн
173+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.73 грн
10+66.19 грн
21+46.14 грн
56+43.63 грн
500+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC123N08NS3G_rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae80eb8555625 Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
на замовлення 62033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.03 грн
10+70.90 грн
100+55.19 грн
500+42.81 грн
1000+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 39305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+103.55 грн
173+70.77 грн
200+64.17 грн
500+52.52 грн
1000+45.14 грн
2000+38.51 грн
5000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC123N08NS3G_DS_v02_05_en-1226212.pdf MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 47492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.45 грн
10+79.66 грн
100+53.58 грн
500+44.97 грн
1000+39.62 грн
5000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.82 грн
11+79.32 грн
100+62.30 грн
500+43.86 грн
1000+34.47 грн
5000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.88 грн
10+82.48 грн
21+55.37 грн
56+52.35 грн
500+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+131.23 грн
10+89.49 грн
100+69.44 грн
500+56.15 грн
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.