BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 23.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC123N08NS3GATMA1 за ціною від 23.96 грн до 140.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 39305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 55272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 42311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V |
на замовлення 35667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC123N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|