Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC12DN20NS3GATMA1
BSC12DN20NS3GATMA1

BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC12DN20NS3GATMA1 за ціною від 34.44 грн до 128.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+46.58 грн
278+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.10 грн
500+44.19 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.91 грн
11+80.19 грн
100+60.10 грн
500+44.19 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 6694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.61 грн
10+78.74 грн
100+52.97 грн
500+39.34 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC12DN20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC12DN20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.