Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC12DN20NS3GATMA1
BSC12DN20NS3GATMA1

BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc12dn20ns3dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
245+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції BSC12DN20NS3GATMA1 за ціною від 33.54 грн до 161.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.45 грн
10+78.88 грн
100+52.99 грн
500+39.30 грн
1000+35.94 грн
2000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 INFINEON INFNS16195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.17 грн
10+103.61 грн
100+71.87 грн
500+50.55 грн
1000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc12dn20ns3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec
BSC12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.45 грн
10+78.88 грн
100+52.99 грн
500+39.30 грн
1000+35.94 грн
2000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 INFNS16195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC12DN20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.125 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.17 грн
10+103.61 грн
100+71.87 грн
500+50.55 грн
1000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 infineonbsc12dn20ns3dsv0202en.pdf
BSC12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.