BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 39.24 грн |
| 10000+ | 36.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.
Інші пропозиції BSC12DN20NS3GATMA1 за ціною від 36.92 грн до 118.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
на замовлення 11797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8 On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 200V Drain current: 11.3A кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC12DN20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8 On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 200V Drain current: 11.3A |
товар відсутній |