BSC13DN30NSFDATMA1

BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies


6286infineon-bsc13dn30nsfd-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259b0420a0159.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.114 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC13DN30NSFDATMA1 за ціною від 99.03 грн до 322.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+131.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+145.40 грн
500+138.28 грн
1000+130.14 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+145.40 грн
500+138.28 грн
1000+130.14 грн
10000+118.63 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.114 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+211.27 грн
250+154.33 грн
1000+109.59 грн
3000+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+241.58 грн
72+171.63 грн
100+150.45 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+253.76 грн
50+244.09 грн
100+235.81 грн
250+220.50 грн
500+198.61 грн
1000+186.00 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC13DN30NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d5c940fc0d9a Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
на замовлення 5506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.74 грн
10+183.46 грн
100+129.89 грн
500+111.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.114 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+320.21 грн
50+211.27 грн
250+154.33 грн
1000+109.59 грн
3000+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC13DN30NSFD_DataSheet_v02_02_EN-3360668.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.72 грн
10+218.28 грн
25+179.51 грн
100+134.63 грн
250+130.95 грн
500+114.77 грн
1000+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC13DN30NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d5c940fc0d9a Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.