BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 107.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.114 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC13DN30NSFDATMA1 за ціною від 98.80 грн до 335.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 16385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.114 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V |
на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.114 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC13DN30NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |