Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC146N10LS5ATMA1
BSC146N10LS5ATMA1

BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+49.60 грн
10000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC146N10LS5ATMA1 за ціною від 35.73 грн до 162.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
50+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 11402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+69.64 грн
25+65.67 грн
100+56.49 грн
250+53.40 грн
500+51.22 грн
1000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc146n10ls5datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC146N10LS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.81 грн
10+100.51 грн
100+57.80 грн
500+45.81 грн
1000+40.74 грн
2500+37.21 грн
5000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
50+67.59 грн
250+58.55 грн
1000+47.72 грн
3000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 11402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.05 грн
10+69.64 грн
25+65.67 грн
100+56.49 грн
250+53.40 грн
500+51.22 грн
1000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 infineonbsc146n10ls5datasheeten.pdf
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
149+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon_BSC146N10LS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC146N10LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+162.81 грн
10+100.51 грн
100+57.80 грн
500+45.81 грн
1000+40.74 грн
2500+37.21 грн
5000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.