BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 27.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm.
Інші пропозиції BSC146N10LS5ATMA1 за ціною від 33.45 грн до 130.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
на замовлення 14477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 84421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC146N10LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|