Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC150N03LDGATMA1
BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+22.06 грн
10000+19.78 грн
15000+19.04 грн
25000+17.08 грн
35000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 26W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4, Part Status: Active.

Інші пропозиції BSC150N03LDGATMA1 за ціною від 19.59 грн до 96.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.48 грн
324+43.77 грн
327+43.34 грн
500+34.61 грн
1000+27.18 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.00 грн
13+60.63 грн
25+60.48 грн
100+42.21 грн
250+38.69 грн
500+30.76 грн
1000+26.10 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 49295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.98 грн
10+55.36 грн
100+36.51 грн
500+26.67 грн
1000+24.22 грн
2000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.21 грн
10+59.49 грн
100+34.11 грн
500+26.57 грн
1000+22.06 грн
5000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
459+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
234+60.48 грн
324+43.77 грн
327+43.34 грн
500+34.61 грн
1000+27.18 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.00 грн
13+60.63 грн
25+60.48 грн
100+42.21 грн
250+38.69 грн
500+30.76 грн
1000+26.10 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 49295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.98 грн
10+55.36 грн
100+36.51 грн
500+26.67 грн
1000+24.22 грн
2000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.21 грн
10+59.49 грн
100+34.11 грн
500+26.57 грн
1000+22.06 грн
5000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.