Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC150N03LDGATMA1
BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.78 грн
10000+18.61 грн
15000+17.90 грн
25000+16.04 грн
35000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Інші пропозиції BSC150N03LDGATMA1 за ціною від 20.91 грн до 86.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.61 грн
324+43.87 грн
327+43.43 грн
500+34.68 грн
1000+27.24 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.19 грн
13+60.76 грн
25+60.61 грн
100+42.30 грн
250+38.78 грн
500+30.83 грн
1000+26.15 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 48039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.58 грн
100+34.60 грн
500+25.21 грн
1000+22.88 грн
2000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
459+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
879+40.34 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
234+60.61 грн
324+43.87 грн
327+43.43 грн
500+34.68 грн
1000+27.24 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.19 грн
13+60.76 грн
25+60.61 грн
100+42.30 грн
250+38.78 грн
500+30.83 грн
1000+26.15 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 48039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+52.58 грн
100+34.60 грн
500+25.21 грн
1000+22.88 грн
2000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.