Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC150N03LDGATMA1
BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC150N03LDGATMA1 за ціною від 15.56 грн до 63.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
881+34.55 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 881
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
881+34.55 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 881
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1_4-1730932.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.04 грн
10+33.38 грн
25+28.37 грн
100+23.80 грн
250+23.73 грн
500+21.41 грн
1000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.87 грн
22+38.34 грн
100+27.68 грн
500+20.03 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 40432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+38.02 грн
100+28.41 грн
500+23.15 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+63.86 грн
274+44.47 грн
323+37.73 грн
500+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.