
BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
179+ | 68.20 грн |
194+ | 62.93 грн |
201+ | 60.73 грн |
250+ | 56.43 грн |
500+ | 50.83 грн |
1000+ | 47.67 грн |
3000+ | 47.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC152N15LS5ATMA1 за ціною від 43.99 грн до 123.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 7226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 7226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |