BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 229+ | 55.47 грн |
| 244+ | 52.09 грн |
| 250+ | 49.72 грн |
| 500+ | 45.89 грн |
| 1000+ | 43.91 грн |
| 3000+ | 43.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC152N15LS5ATMA1 за ціною від 45.43 грн до 171.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
на замовлення 4874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC152N15LS5ATMA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |