BSC152N15LS5ATMA1

BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A T/R
на замовлення 4355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.68 грн
25+62.17 грн
100+59.35 грн
250+54.34 грн
500+51.65 грн
1000+47.76 грн
3000+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC152N15LS5ATMA1 за ціною від 49.26 грн до 116.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : INFINEON 4159877.pdf Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.33 грн
500+57.34 грн
1000+49.82 грн
5000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
10+71.33 грн
100+57.93 грн
500+50.90 грн
1000+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC152N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398088.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.32 грн
10+81.02 грн
25+68.33 грн
100+58.05 грн
250+57.83 грн
500+54.38 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : INFINEON 4159877.pdf Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.08 грн
10+84.80 грн
100+68.33 грн
500+57.34 грн
1000+49.82 грн
5000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf BSC152N15LS5ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.