BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 75.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC152N15LS5ATMA1 за ціною від 46.50 грн до 262.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 11882 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 86.73 грн |
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 163+ | 88.37 грн |
| 165+ | 87.49 грн |
| 199+ | 72.68 грн |
| 250+ | 69.69 грн |
| 500+ | 58.20 грн |
| 1000+ | 46.50 грн |
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 103.74 грн |
| 10+ | 88.37 грн |
| 25+ | 87.49 грн |
| 100+ | 70.08 грн |
| 250+ | 64.53 грн |
| 500+ | 55.87 грн |
| 1000+ | 46.50 грн |
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 179.58 грн |
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 235.52 грн |
| 10+ | 147.27 грн |
| 50+ | 113.05 грн |
| 100+ | 95.73 грн |
| 500+ | 77.56 грн |
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 11882 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 262.25 грн |
| 10+ | 128.40 грн |
| 100+ | 101.30 грн |
| 500+ | 82.08 грн |
| 1000+ | 80.60 грн |
| 2500+ | 74.68 грн |
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC152N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)