Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC152N15LS5ATMA1
BSC152N15LS5ATMA1

BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC152N15LS5ATMA1 за ціною від 42.64 грн до 186.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 INFINEON 4159877.pdf Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.23 грн
500+60.70 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.82 грн
165+85.95 грн
199+71.41 грн
250+68.47 грн
500+57.18 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.93 грн
10+86.82 грн
25+85.95 грн
100+68.86 грн
250+63.40 грн
500+54.89 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 7394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.76 грн
10+99.80 грн
100+67.86 грн
500+50.84 грн
1000+46.70 грн
2000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC152N15LS5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.33 грн
10+111.05 грн
100+65.48 грн
500+52.09 грн
1000+45.67 грн
2500+44.90 грн
5000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.44 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 INFINEON 4159877.pdf Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.66 грн
10+120.88 грн
100+82.23 грн
500+60.70 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 4159877.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+82.23 грн
500+60.70 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
163+86.82 грн
165+85.95 грн
199+71.41 грн
250+68.47 грн
500+57.18 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+101.93 грн
10+86.82 грн
25+85.95 грн
100+68.86 грн
250+63.40 грн
500+54.89 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 7394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+161.76 грн
10+99.80 грн
100+67.86 грн
500+50.84 грн
1000+46.70 грн
2000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 Infineon_BSC152N15LS5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.33 грн
10+111.05 грн
100+65.48 грн
500+52.09 грн
1000+45.67 грн
2500+44.90 грн
5000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
81+176.44 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC152N15LS5ATMA1 4159877.pdf
BSC152N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+186.66 грн
10+120.88 грн
100+82.23 грн
500+60.70 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.