Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC155N06NDATMA1
BSC155N06NDATMA1

BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1064+13.22 грн
1080+13.01 грн
1098+12.80 грн
1116+12.15 грн
1134+11.06 грн
1153+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BSC155N06NDATMA1 за ціною від 10.44 грн до 140.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.00 грн
56+13.42 грн
57+13.22 грн
58+12.54 грн
100+11.43 грн
250+10.80 грн
500+10.62 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.86 грн
10+86.72 грн
100+58.50 грн
500+43.54 грн
1000+39.89 грн
2000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 INFINEON Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC155N06ND_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 INFINEON Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf
BSC155N06NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.00 грн
56+13.42 грн
57+13.22 грн
58+12.54 грн
100+11.43 грн
250+10.80 грн
500+10.62 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf
BSC155N06NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
277+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf
BSC155N06NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 infineonbsc155n06nddsv0200en.pdf
BSC155N06NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.86 грн
10+86.72 грн
100+58.50 грн
500+43.54 грн
1000+39.89 грн
2000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon_BSC155N06ND_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC155N06NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
BSC155N06NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.