BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1064+ | 13.07 грн |
| 1080+ | 12.86 грн |
| 1098+ | 12.66 грн |
| 1116+ | 12.01 грн |
| 1134+ | 10.94 грн |
| 1153+ | 10.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC155N06NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC155N06NDATMA1 за ціною від 10.33 грн до 148.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 4117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 7253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC155N06NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSC155N06NDATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 20A; 50W; PG-TDSON-8-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8-4 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSC155N06NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |