Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC159N10LSFGATMA1
BSC159N10LSFGATMA1

BSC159N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

bsc159n10lsfrev2.05.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+133.45 грн
500+120.11 грн
1000+110.87 грн
10000+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC159N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC159N10LSFGATMA1 за ціною від 110.87 грн до 133.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC159N10LSFGATMA1 BSC159N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc159n10lsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+133.45 грн
500+120.11 грн
1000+110.87 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1 BSC159N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc159n10lsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1 BSC159N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc159n10lsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1 BSC159N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC159N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499f85d47b36 Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC159N10LSFGATMA1 BSC159N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC159N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499f85d47b36 Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.