Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC160N10NS3GATMA1
BSC160N10NS3GATMA1

BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc160n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604018.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0139 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC160N10NS3GATMA1 за ціною від 33.15 грн до 99.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC160N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226040189a7f47 Description: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+36.45 грн
10000+ 33.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc160n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604018.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+37.44 грн
10000+ 35.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc160n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604018.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+38.77 грн
10000+ 37.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc160n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604018.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.12 грн
10000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc160n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604018.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.9 грн
10000+ 39.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0139 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.77 грн
250+ 54.62 грн
1000+ 50.44 грн
3000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc160n10ns3rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122604018.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
207+56.47 грн
213+ 54.72 грн
231+ 50.45 грн
238+ 47.25 грн
500+ 43.66 грн
1000+ 39.75 грн
2000+ 39.25 грн
Мінімальне замовлення: 207
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0139 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.36 грн
50+ 54.77 грн
250+ 54.62 грн
1000+ 50.44 грн
3000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC160N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226040189a7f47 Description: MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 37324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.69 грн
10+ 72.86 грн
100+ 56.7 грн
500+ 45.1 грн
1000+ 36.74 грн
2000+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC160N10NS3_DS_v02_04_en-1731167.pdf MOSFET N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.2 грн
10+ 76.39 грн
100+ 54.07 грн
500+ 45.83 грн
1000+ 35.14 грн
5000+ 33.41 грн
10000+ 33.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 60W
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 60W
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній