Продукція > Транзистори > IGBT > BSC160N15NS5ATMA1

BSC160N15NS5ATMA1

Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Код товару: 198064
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC160N15NS5ATMA1 за ціною від 67.59 грн до 710.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.03 грн
10+138.38 грн
25+137.00 грн
100+126.07 грн
250+115.56 грн
500+96.41 грн
1000+91.10 грн
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.03 грн
103+138.38 грн
104+137.00 грн
109+126.07 грн
250+115.56 грн
500+96.41 грн
1000+91.10 грн
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC160N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 12463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.42 грн
10+146.71 грн
100+94.45 грн
500+78.94 грн
1000+74.01 грн
2500+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.54 грн
10+144.77 грн
100+100.45 грн
500+76.48 грн
1000+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+305.89 грн
50+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+710.19 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 56A; Idm: 1E-09A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1E-09A
Gate charge: 23.1nC
Reverse recovery time: 31ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 96W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
142+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+101.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+207.03 грн
10+138.38 грн
25+137.00 грн
100+126.07 грн
250+115.56 грн
500+96.41 грн
1000+91.10 грн
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
69+207.03 грн
103+138.38 грн
104+137.00 грн
109+126.07 грн
250+115.56 грн
500+96.41 грн
1000+91.10 грн
3000+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon_BSC160N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 12463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+229.42 грн
10+146.71 грн
100+94.45 грн
500+78.94 грн
1000+74.01 грн
2500+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.54 грн
10+144.77 грн
100+100.45 грн
500+76.48 грн
1000+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+305.89 грн
50+199.82 грн
250+138.97 грн
1000+105.37 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
93+710.19 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 56A; Idm: 1E-09A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1E-09A
Gate charge: 23.1nC
Reverse recovery time: 31ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 96W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.