Продукція > Транзистори > IGBT > BSC160N15NS5ATMA1

BSC160N15NS5ATMA1

Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Код товару: 198064
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC160N15NS5ATMA1 за ціною від 63.86 грн до 705.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.42 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.65 грн
10+137.46 грн
25+136.09 грн
100+125.23 грн
250+114.79 грн
500+95.77 грн
1000+90.49 грн
3000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.65 грн
103+137.46 грн
104+136.09 грн
109+125.23 грн
250+114.79 грн
500+95.77 грн
1000+90.49 грн
3000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 9730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.91 грн
10+138.53 грн
100+95.83 грн
500+72.82 грн
1000+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+705.45 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC160N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 12463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+99.42 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+205.65 грн
10+137.46 грн
25+136.09 грн
100+125.23 грн
250+114.79 грн
500+95.77 грн
1000+90.49 грн
3000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+205.65 грн
103+137.46 грн
104+136.09 грн
109+125.23 грн
250+114.79 грн
500+95.77 грн
1000+90.49 грн
3000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 9730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.91 грн
10+138.53 грн
100+95.83 грн
500+72.82 грн
1000+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+705.45 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon_BSC160N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 12463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.