BSC160N15NS5ATMA1

BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc160n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.0137 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC160N15NS5ATMA1 за ціною від 61.09 грн до 212.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc160n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+95.98 грн
129+95.17 грн
137+89.47 грн
500+85.49 грн
2000+70.23 грн
5000+67.28 грн
10000+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc160n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+99.23 грн
125+97.61 грн
1000+96.79 грн
2000+86.28 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc160n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+115.07 грн
10+93.12 грн
25+92.19 грн
100+78.86 грн
250+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc160n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+116.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc160n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.92 грн
122+100.28 грн
123+99.28 грн
139+84.93 грн
250+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.0137 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.42 грн
250+103.16 грн
1000+75.33 грн
3000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.89 грн
10+119.62 грн
100+93.46 грн
500+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.0137 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.10 грн
50+144.42 грн
250+103.16 грн
1000+75.33 грн
3000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC160N15NS5_DataSheet_v02_04_EN-3007128.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 28618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.86 грн
10+143.83 грн
100+91.22 грн
500+75.78 грн
1000+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1
Код товару: 198064
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc160n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.