BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 64.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC160N15NS5ATMA1 за ціною від 68.32 грн до 215.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 14210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 56A; 96W; PG-TDSON-8; SMT Mounting: SMD Gate charge: 19nC On-state resistance: 16mΩ Drain current: 56A Gate-source voltage: 20V Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Electrical mounting: SMT |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSC160N15NS5ATMA1 Код товару: 198064
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |