BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 108.69 грн |
| 10+ | 107.03 грн |
| 25+ | 105.44 грн |
| 50+ | 100.07 грн |
| 100+ | 91.18 грн |
| 250+ | 86.17 грн |
| 500+ | 84.74 грн |
| 1000+ | 83.39 грн |
| 3000+ | 81.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC160N15NS5SCATMA1 за ціною від 87.01 грн до 262.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 3057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005560955 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |