Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC16DN25NS3GATMA1
BSC16DN25NS3GATMA1

BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC16DN25NS3GATMA1 за ціною від 51.63 грн до 201.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.73 грн
10+87.22 грн
25+86.73 грн
100+73.79 грн
250+67.64 грн
500+63.51 грн
1000+62.08 грн
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.73 грн
163+87.22 грн
164+86.73 грн
185+73.79 грн
250+67.64 грн
500+63.51 грн
1000+62.08 грн
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 INFINEON INFNS15671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.17 грн
250+85.52 грн
1000+61.24 грн
3000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1564f4541a33 Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.82 грн
10+109.19 грн
100+74.60 грн
500+56.11 грн
1000+51.64 грн
2000+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 INFINEON INFNS15671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.46 грн
50+124.17 грн
250+85.52 грн
1000+61.24 грн
3000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+96.73 грн
10+87.22 грн
25+86.73 грн
100+73.79 грн
250+67.64 грн
500+63.51 грн
1000+62.08 грн
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
147+96.73 грн
163+87.22 грн
164+86.73 грн
185+73.79 грн
250+67.64 грн
500+63.51 грн
1000+62.08 грн
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 infineonbsc16dn25ns3dsv0202en.pdf
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
141+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 INFNS15671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+124.17 грн
250+85.52 грн
1000+61.24 грн
3000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1564f4541a33
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.82 грн
10+109.19 грн
100+74.60 грн
500+56.11 грн
1000+51.64 грн
2000+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 INFNS15671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+201.46 грн
50+124.17 грн
250+85.52 грн
1000+61.24 грн
3000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.