Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC16DN25NS3GATMA1
BSC16DN25NS3GATMA1

BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc16dn25ns3rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC16DN25NS3GATMA1 за ціною від 46.70 грн до 191.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1564f4541a33 Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+69.51 грн
195+62.63 грн
250+60.20 грн
500+54.62 грн
1000+51.36 грн
3000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+70.62 грн
10+64.71 грн
25+64.55 грн
100+56.08 грн
250+51.76 грн
500+48.69 грн
1000+47.69 грн
3000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+80.85 грн
152+80.61 грн
153+80.04 грн
500+77.10 грн
2000+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.32 грн
250+87.48 грн
1000+58.93 грн
3000+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.91 грн
50+121.32 грн
250+87.48 грн
1000+58.93 грн
3000+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1564f4541a33 Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 6996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.79 грн
10+118.86 грн
100+81.66 грн
500+61.68 грн
1000+56.87 грн
2000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc16dn25ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC16DN25NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC16DN25NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.