BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 36.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.0166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0166ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC190N12NS3GATMA1 за ціною від 36.50 грн до 138.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.0166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0166ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.0166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0166ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V |
на замовлення 12945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 120V Drain current: 44A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC190N12NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 120V Drain current: 44A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |