Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC190N15NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2080649-3
Price: 302600.00 UAH
Availability: InStock

BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

на замовлення 14240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	60.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC190N15NS3GATMA1 за ціною від 59.30 грн до 221.46 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	68.14 грн
10000+	67.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	70.46 грн
10000+	69.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	73.22 грн
10000+	72.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	75.49 грн
10000+	74.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	81.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 19619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
113+	112.61 грн
123+	103.91 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
113+	113.28 грн
135+	94.14 грн
159+	77.12 грн
250+	70.36 грн
500+	61.03 грн
1000+	60.99 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	121.37 грн
10+	101.35 грн
25+	100.86 грн
100+	82.62 грн
250+	75.39 грн
500+	65.39 грн
1000+	65.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	144.97 грн
250+	104.95 грн
1000+	83.41 грн
3000+	75.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	201.65 грн
10+	131.30 грн
100+	82.46 грн
500+	70.25 грн
5000+	59.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

на замовлення 14695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	203.26 грн
10+	126.44 грн
100+	87.08 грн
500+	66.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	221.46 грн
50+	144.97 грн
250+	104.95 грн
1000+	83.41 грн
3000+	75.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon

N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	70.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

BSC190N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 1446 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	150.49 грн
22+	144.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.