Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC190N15NS3GATMA1
BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 14240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC190N15NS3GATMA1 за ціною від 57.94 грн до 236.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon info-tbsc190n15ns3g.pdf N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.24 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.19 грн
10+111.08 грн
25+109.98 грн
100+88.78 грн
250+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.19 грн
128+111.08 грн
129+109.98 грн
154+88.78 грн
250+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.77 грн
250+110.19 грн
1000+76.36 грн
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 14695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.92 грн
10+116.90 грн
100+80.51 грн
500+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC190N15NS3_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.82 грн
10+122.39 грн
100+78.94 грн
500+65.48 грн
1000+62.45 грн
5000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+236.00 грн
50+146.37 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 info-tbsc190n15ns3g.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 bsc190n15ns3_rev2.2.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
124+114.24 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G-DTE.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+127.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 bsc190n15ns3_rev2.2.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+132.19 грн
10+111.08 грн
25+109.98 грн
100+88.78 грн
250+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 bsc190n15ns3_rev2.2.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
107+132.19 грн
128+111.08 грн
129+109.98 грн
154+88.78 грн
250+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+153.77 грн
250+110.19 грн
1000+76.36 грн
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 14695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+187.92 грн
10+116.90 грн
100+80.51 грн
500+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 Infineon_BSC190N15NS3_DS_v02_04_en.pdf
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.82 грн
10+122.39 грн
100+78.94 грн
500+65.48 грн
1000+62.45 грн
5000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+236.00 грн
50+146.37 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.