Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC190N15NS3GATMA1
BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC190N15NS3GATMA1 за ціною від 60.86 грн до 248.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+88.78 грн
500+85.00 грн
1000+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+88.78 грн
500+85.00 грн
1000+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.69 грн
108+113.06 грн
121+100.86 грн
2000+87.85 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.48 грн
10+109.59 грн
25+108.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.35 грн
250+99.03 грн
1000+88.89 грн
3000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.41 грн
3+145.16 грн
10+131.50 грн
25+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+176.51 грн
10+121.07 грн
25+119.99 грн
100+82.63 грн
250+75.79 грн
500+68.15 грн
1000+64.50 грн
3000+60.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.04 грн
50+132.87 грн
250+97.38 грн
1000+70.50 грн
3000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.02 грн
10+118.94 грн
100+82.47 грн
500+68.36 грн
1000+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+190.09 грн
94+130.38 грн
95+129.22 грн
133+88.98 грн
250+81.62 грн
500+73.39 грн
1000+69.46 грн
3000+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC190N15NS3_DS_v02_04_en-1731126.pdf MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 19636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.91 грн
10+170.05 грн
100+111.82 грн
250+105.94 грн
500+92.70 грн
1000+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.