Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC190N15NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2080649-3
Price: 307450.00 UAH
Availability: InStock

BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	61.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC190N15NS3GATMA1 за ціною від 58.89 грн до 219.90 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	68.45 грн
10000+	67.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	70.78 грн
10000+	70.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	73.56 грн
10000+	72.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	75.84 грн
10000+	75.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	80.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 19619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
113+	113.14 грн
123+	104.39 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
113+	113.81 грн
135+	94.57 грн
159+	77.47 грн
250+	70.69 грн
500+	61.31 грн
1000+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	121.94 грн
10+	101.82 грн
25+	101.33 грн
100+	83.01 грн
250+	75.74 грн
500+	65.69 грн
1000+	65.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	123.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	143.95 грн
250+	104.21 грн
1000+	82.83 грн
3000+	74.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	148.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	200.23 грн
10+	130.37 грн
100+	81.87 грн
500+	69.75 грн
5000+	58.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V

на замовлення 22541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	206.94 грн
10+	128.50 грн
100+	88.47 грн
500+	68.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	219.90 грн
50+	143.95 грн
250+	104.21 грн
1000+	82.83 грн
3000+	74.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC190N15NS3GATMA1

Виробник : Infineon

N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.