Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC190N15NS3GATMA1
BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+64.12 грн
10000+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC190N15NS3GATMA1 за ціною від 54.68 грн до 212.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.00 грн
10000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+68.09 грн
10000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+70.71 грн
10000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+78.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+108.82 грн
135+90.43 грн
160+73.83 грн
250+67.59 грн
500+58.61 грн
1000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+116.60 грн
10+97.35 грн
25+96.88 грн
100+79.10 грн
250+72.42 грн
500+62.80 грн
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.27 грн
250+100.82 грн
1000+80.13 грн
3000+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
на замовлення 11675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.79 грн
10+123.37 грн
100+86.80 грн
500+67.38 грн
1000+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.75 грн
50+139.27 грн
250+100.82 грн
1000+80.13 грн
3000+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC190N15NS3-DS-v02_04-en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.