BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 55.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC190N15NS3GATMA1 за ціною від 57.16 грн до 244.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 19398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A Power dissipation: 125W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V |
на замовлення 14695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 22739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BSC190N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |