BSC196N10NSGATMA1

BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies


bsc196n10nsrev1.04.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0167 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC196N10NSGATMA1 за ціною від 33.01 грн до 135.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc196n10nsrev1.04.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+64.53 грн
527+58.08 грн
1000+53.56 грн
10000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC196N10NS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601164800549d071f Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.34 грн
10+78.37 грн
100+52.70 грн
500+39.13 грн
1000+35.81 грн
2000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc196n10nsrev1.04.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 17364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+129.64 грн
146+83.98 грн
200+83.17 грн
500+53.86 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0167 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.44 грн
10+88.88 грн
100+61.54 грн
500+43.94 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1
Код товару: 211072
Додати до обраних Обраний товар

BSC196N10NS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601164800549d071f Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc196n10nsrev1.04.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc196n10nsrev1.04.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB2068F3D811C&compId=BSC196N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=da8b6e507176b595fdb7cb5dc1e045ec2ef98bb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC196N10NS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601164800549d071f Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB2068F3D811C&compId=BSC196N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=da8b6e507176b595fdb7cb5dc1e045ec2ef98bb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.