Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC196N10NSGATMA1

BSC196N10NSGATMA1

BSC196N10NS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601164800549d071f
Код товару: 211072
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC196N10NSGATMA1 за ціною від 31.94 грн до 123.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies bsc196n10nsrev1.04.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies bsc196n10nsrev1.04.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 44616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+74.62 грн
527+67.16 грн
1000+61.94 грн
10000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 INFINEON INFNS16203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.12 грн
11+76.39 грн
100+52.13 грн
500+37.19 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies BSC196N10NS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601164800549d071f Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.70 грн
10+75.82 грн
100+51.00 грн
500+37.86 грн
1000+34.65 грн
2000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 bsc196n10nsrev1.04.pdf
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
355+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 bsc196n10nsrev1.04.pdf
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 44616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
474+74.62 грн
527+67.16 грн
1000+61.94 грн
10000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 INFNS16203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC196N10NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0196 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+115.12 грн
11+76.39 грн
100+52.13 грн
500+37.19 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601164800549d071f
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.70 грн
10+75.82 грн
100+51.00 грн
500+37.86 грн
1000+34.65 грн
2000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.