Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC205N10LSGATMA1
BSC205N10LSGATMA1

BSC205N10LSGATMA1 Infineon Technologies

bsc205n10lsrev2.05.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC205N10LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSC205N10LSGATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC205N10LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC205N10LSGATMA1
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.