Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC220N20NSFDATMA1
BSC220N20NSFDATMA1

BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies

BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0177ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm.

Інші пропозиції BSC220N20NSFDATMA1 за ціною від 132.97 грн до 477.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0008943926-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0177ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+222.84 грн
500+184.02 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0008943926-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.54 грн
10+275.47 грн
100+222.84 грн
500+184.02 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.47 грн
10+240.22 грн
100+172.49 грн
500+134.77 грн
1000+132.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC220N20NSFD_DS_v02_00_EN-1840491.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 13043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.75 грн
10+271.53 грн
25+222.02 грн
100+172.68 грн
250+169.16 грн
500+151.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc220n20nsfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.61 грн
60+239.38 грн
500+224.67 грн
1000+214.50 грн
2500+196.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 INFN-S-A0008943926-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
BSC220N20NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0177ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+222.84 грн
500+184.02 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 INFN-S-A0008943926-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
BSC220N20NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+344.54 грн
10+275.47 грн
100+222.84 грн
500+184.02 грн
1000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf
BSC220N20NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+373.47 грн
10+240.22 грн
100+172.49 грн
500+134.77 грн
1000+132.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 Infineon_BSC220N20NSFD_DS_v02_00_EN-1840491.pdf
BSC220N20NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 13043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+403.75 грн
10+271.53 грн
25+222.02 грн
100+172.68 грн
250+169.16 грн
500+151.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 infineonbsc220n20nsfddsv0200en.pdf
BSC220N20NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+477.61 грн
60+239.38 грн
500+224.67 грн
1000+214.50 грн
2500+196.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.