BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 160.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC220N20NSFDATMA1 за ціною від 146.26 грн до 420.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC220N20NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V |
на замовлення 2782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC220N20NSFDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC220N20NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 13043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC220N20NSFDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |