BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies


BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSC22DN20NS3GATMA1 за ціною від 23.12 грн до 96.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC22DN20NS3_DS_v02_02_en-3360790.pdf MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.75 грн
10+53.82 грн
100+35.66 грн
250+35.03 грн
500+30.73 грн
1000+26.57 грн
5000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+60.47 грн
100+42.84 грн
500+31.51 грн
1000+27.90 грн
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon_BSC22DN20NS3_DS_v02_02_en-3360790.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.75 грн
10+53.82 грн
100+35.66 грн
250+35.03 грн
500+30.73 грн
1000+26.57 грн
5000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.74 грн
10+60.47 грн
100+42.84 грн
500+31.51 грн
1000+27.90 грн
2000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.