BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC22DN20NS3GATMA1 за ціною від 25.60 грн до 93.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC22DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSC22DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.91 грн |
| 10+ | 58.70 грн |
| 100+ | 41.58 грн |
| 500+ | 30.59 грн |
| 1000+ | 27.09 грн |
| 2000+ | 25.60 грн |
| BSC22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




