Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC252N10NSFGATMA1
BSC252N10NSFGATMA1

BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies

BSC252N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b498909e97b17
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+28.93 грн
10000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC252N10NSFGATMA1 за ціною від 28.26 грн до 133.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc252n10nsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.87 грн
10000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc252n10nsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.95 грн
10000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc252n10nsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.66 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC252N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b498909e97b17 Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.56 грн
10+71.32 грн
100+47.76 грн
500+35.34 грн
1000+32.30 грн
2000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON BSC252N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b498909e97b17 Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.21 грн
10+85.52 грн
100+56.57 грн
500+41.46 грн
1000+34.54 грн
5000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 bsc252n10nsfrev2.05.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+40.87 грн
10000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 bsc252n10nsfrev2.05.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+40.95 грн
10000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 bsc252n10nsfrev2.05.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
583+60.66 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b498909e97b17
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.56 грн
10+71.32 грн
100+47.76 грн
500+35.34 грн
1000+32.30 грн
2000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b498909e97b17
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+133.21 грн
10+85.52 грн
100+56.57 грн
500+41.46 грн
1000+34.54 грн
5000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.