Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC265N10LSFGATMA1
BSC265N10LSFGATMA1

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.

Інші пропозиції BSC265N10LSFGATMA1 за ціною від 25.69 грн до 103.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+91.96 грн
180+78.34 грн
210+67.12 грн
221+61.38 грн
500+53.10 грн
1000+47.90 грн
5000+42.07 грн
10000+39.51 грн
20000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 14791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.14 грн
10+62.78 грн
100+41.77 грн
500+30.71 грн
1000+27.98 грн
2000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC265N10LSFG_DS_v02_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
153+91.96 грн
180+78.34 грн
210+67.12 грн
221+61.38 грн
500+53.10 грн
1000+47.90 грн
5000+42.07 грн
10000+39.51 грн
20000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 14791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.14 грн
10+62.78 грн
100+41.77 грн
500+30.71 грн
1000+27.98 грн
2000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 Infineon_BSC265N10LSFG_DS_v02_08_en.pdf
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC265N10LSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.