BSC265N10LSFGATMA1

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies


BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC265N10LSFGATMA1 за ціною від 27.48 грн до 93.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.65 грн
50+49.10 грн
250+40.80 грн
1000+36.71 грн
3000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+80.05 грн
180+68.20 грн
210+58.43 грн
221+53.43 грн
500+46.23 грн
1000+41.70 грн
5000+36.62 грн
10000+34.39 грн
20000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
на замовлення 17156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.71 грн
10+55.42 грн
100+42.08 грн
500+31.57 грн
1000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC265N10LSFG_DS_v02_08_en-1226262.pdf MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 13554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.32 грн
10+70.55 грн
100+49.65 грн
500+41.05 грн
1000+32.22 грн
2500+32.15 грн
5000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.