BSC320N20NS3 G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 399.14 грн |
| 38+ | 381.99 грн |
| 50+ | 367.44 грн |
| 100+ | 342.29 грн |
| 250+ | 307.32 грн |
| 500+ | 287.00 грн |
| 1000+ | 279.98 грн |
| 2500+ | 273.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
36 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC320N20NS3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 36A, Power dissipation: 125W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 32mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 22nC, Version: ESD, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції BSC320N20NS3 G за ціною від 176.12 грн до 519.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC320N20NS3 G | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC320N20NS3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSC320N20NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 36A Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Version: ESD Semiconductor structure: single transistor |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSC320N20NS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 519.71 грн |
| 29+ | 497.38 грн |
| 50+ | 478.43 грн |
| 100+ | 445.69 грн |
| 250+ | 400.16 грн |
| 500+ | 373.70 грн |
| 1000+ | 364.56 грн |
| 2500+ | 356.52 грн |
| BSC320N20NS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC320N20NS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Version: ESD
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Version: ESD
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 260.11 грн |
| 30+ | 209.66 грн |
| 50+ | 202.95 грн |
| 100+ | 197.92 грн |
| 200+ | 176.12 грн |