Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC320N20NS3GATMA1
BSC320N20NS3GATMA1

BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Інші пропозиції BSC320N20NS3GATMA1 за ціною від 66.04 грн до 260.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 55909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.06 грн
250+119.23 грн
1000+80.17 грн
3000+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC320N20NS3_G_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.38 грн
10+136.17 грн
100+89.51 грн
500+72.60 грн
1000+70.34 грн
2500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 55909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+250.80 грн
50+157.06 грн
250+119.23 грн
1000+80.17 грн
3000+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571 Description: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 14571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.87 грн
10+162.87 грн
100+112.73 грн
500+85.66 грн
1000+79.19 грн
2000+73.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 55909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+157.06 грн
250+119.23 грн
1000+80.17 грн
3000+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 Infineon_BSC320N20NS3_G_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+220.38 грн
10+136.17 грн
100+89.51 грн
500+72.60 грн
1000+70.34 грн
2500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 55909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+250.80 грн
50+157.06 грн
250+119.23 грн
1000+80.17 грн
3000+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 14571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+260.87 грн
10+162.87 грн
100+112.73 грн
500+85.66 грн
1000+79.19 грн
2000+73.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.