BSC340N08NS3GATMA1 транзистор


Код товару: 219437
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC340N08NS3GATMA1 транзистор за ціною від 18.53 грн до 86.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.70 грн
10000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.12 грн
10+44.37 грн
100+31.41 грн
500+25.34 грн
1000+23.43 грн
2000+21.61 грн
2500+21.19 грн
5000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.96 грн
12+63.89 грн
100+48.75 грн
500+38.32 грн
1000+30.23 грн
2000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.47 грн
221+64.28 грн
290+49.05 грн
500+38.55 грн
1000+30.42 грн
2000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 11132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.35 грн
100+34.46 грн
500+25.11 грн
1000+22.78 грн
2000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 14196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 499122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 499122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC340N08NS3G.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.70 грн
10000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.12 грн
10+44.37 грн
100+31.41 грн
500+25.34 грн
1000+23.43 грн
2000+21.61 грн
2500+21.19 грн
5000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+84.96 грн
12+63.89 грн
100+48.75 грн
500+38.32 грн
1000+30.23 грн
2000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+85.47 грн
221+64.28 грн
290+49.05 грн
500+38.55 грн
1000+30.42 грн
2000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 11132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+52.35 грн
100+34.46 грн
500+25.11 грн
1000+22.78 грн
2000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 14196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 1648213.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 499122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 1648213.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 499122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon-BSC340N08NS3G.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

LM74700QDBVTQ1
Код товару: 172220
1 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm74700-q1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2,2uF 50V X5R 10% 0603 4k/reel (C0603X225K063NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 153923
Додати до обраних Обраний товар
mlcc-approval_20190116.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 2,2 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 8000 шт
  • 8000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2500-10SMR
Код товару: 107126
Додати до обраних Обраний товар
A2501WV-XP.pdf
Виробник: JOINT TECH
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо кутове; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 10; THT; 250В; 3А;
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 10
Крок контактів: 2,5 мм
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: На плату
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+2.50 грн
100+2.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
15 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0715KL-Yageo)
Код товару: 105487
Додати до обраних Обраний товар
rc0603-272842.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 15 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 80180 шт
  • 69080 шт - склад
  • 3700 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 4690 шт
  • 4690 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.06 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-07100RL-Yageo)
Код товару: 92135
Додати до обраних Обраний товар
rc0603-272842.pdf
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.20 грн
1000+0.06 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.