Інші пропозиції BSC340N08NS3GATMA1 транзистор за ціною від 18.53 грн до 86.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 5182 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V |
на замовлення 11132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 14196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 32W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
на замовлення 499122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 32W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
на замовлення 499122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Одкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 20.70 грн |
| 10000+ | 18.53 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 67.12 грн |
| 10+ | 44.37 грн |
| 100+ | 31.41 грн |
| 500+ | 25.34 грн |
| 1000+ | 23.43 грн |
| 2000+ | 21.61 грн |
| 2500+ | 21.19 грн |
| 5000+ | 19.78 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 84.96 грн |
| 12+ | 63.89 грн |
| 100+ | 48.75 грн |
| 500+ | 38.32 грн |
| 1000+ | 30.23 грн |
| 2000+ | 26.49 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 85.47 грн |
| 221+ | 64.28 грн |
| 290+ | 49.05 грн |
| 500+ | 38.55 грн |
| 1000+ | 30.42 грн |
| 2000+ | 26.65 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 11132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.98 грн |
| 10+ | 52.35 грн |
| 100+ | 34.46 грн |
| 500+ | 25.11 грн |
| 1000+ | 22.78 грн |
| 2000+ | 20.83 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 14196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 499122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 499122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.90 грн |
З цим товаром купують
| LM74700QDBVTQ1 Код товару: 172220
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2,2uF 50V X5R 10% 0603 4k/reel (C0603X225K063NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 153923
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 2,2 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 2,2 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 8000 шт
- 8000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| NX2500-10SMR Код товару: 107126
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JOINT TECH
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо кутове; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 10; THT; 250В; 3А;
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 10
Крок контактів: 2,5 мм
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: На плату
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо кутове; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 10; THT; 250В; 3А;
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 10
Крок контактів: 2,5 мм
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: На плату
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.10 грн |
| 15 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0715KL-Yageo) Код товару: 105487
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 15 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 15 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 80180 шт
- 69080 шт - склад
- 3700 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4100 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 4690 шт
- 4690 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-07100RL-Yageo) Код товару: 92135
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |











