Інші пропозиції BSC340N08NS3GATMA1 Транзистор за ціною від 18.33 грн до 92.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 28633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 882267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5569 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 7896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 506093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V |
на замовлення 13141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Одкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.50 грн |
| 10000+ | 20.18 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 27.79 грн |
| 10000+ | 26.62 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 28.49 грн |
| 10000+ | 26.89 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 29.87 грн |
| 10000+ | 28.19 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 29.93 грн |
| 10000+ | 28.25 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 28633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 446+ | 31.72 грн |
| 465+ | 30.45 грн |
| 500+ | 29.34 грн |
| 1000+ | 27.38 грн |
| 2500+ | 24.60 грн |
| 5000+ | 22.98 грн |
| 10000+ | 22.42 грн |
| 25000+ | 21.92 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 882267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.67 грн |
| 500+ | 25.35 грн |
| 1000+ | 19.66 грн |
| 5000+ | 18.33 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 38.24 грн |
| 25+ | 38.14 грн |
| 100+ | 27.06 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 244+ | 58.19 грн |
| 256+ | 55.36 грн |
| 339+ | 41.83 грн |
| 500+ | 35.09 грн |
| 1000+ | 28.86 грн |
| 2000+ | 26.76 грн |
| 5000+ | 24.06 грн |
| 10000+ | 21.79 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 58.47 грн |
| 11+ | 39.62 грн |
| 100+ | 29.61 грн |
| 250+ | 26.81 грн |
| 500+ | 24.86 грн |
| 1000+ | 22.65 грн |
| 2000+ | 20.79 грн |
| 2500+ | 20.19 грн |
| 5000+ | 18.58 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.51 грн |
| 10+ | 51.39 грн |
| 100+ | 32.70 грн |
| 500+ | 26.08 грн |
| 1000+ | 21.85 грн |
| 5000+ | 19.81 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 506093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 73.92 грн |
| 16+ | 52.38 грн |
| 100+ | 37.58 грн |
| 500+ | 26.11 грн |
| 1000+ | 20.23 грн |
| 5000+ | 18.33 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 13141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.77 грн |
| 10+ | 56.27 грн |
| 100+ | 37.16 грн |
| 500+ | 27.17 грн |
| 1000+ | 24.68 грн |
| 2000+ | 22.60 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 21.90 грн |
З цим товаром купують
| LM74700QDBVTQ1 Код товару: 172220
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2,2uF 50V X5R 10% 0603 4k/reel (C0603X225K063NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 153923
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 8000 шт
- 8000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| NX2500-10SMR Код товару: 107126
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JOINT TECH
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо кутове; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 10; THT; 250В; 3А;
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 10
Крок контактів: 2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо кутове; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 10; THT; 250В; 3А;
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 10
Крок контактів: 2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
у наявності: 500 шт
- 380 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.10 грн |
| 15 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0715KL-Yageo) Код товару: 105487
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 15 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 15 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 80880 шт
- 69780 шт - склад
- 3700 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4100 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-07100RL-Yageo) Код товару: 92135
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |











