BSC340N08NS3GATMA1

BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies


bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC340N08NS3GATMA1 за ціною від 15.09 грн до 93.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.90 грн
10000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 31292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
446+27.82 грн
465+26.71 грн
500+25.74 грн
1000+24.02 грн
2500+21.58 грн
5000+20.16 грн
10000+19.67 грн
25000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 885890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.67 грн
500+25.33 грн
1000+20.11 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
294+42.25 грн
375+33.14 грн
377+32.93 грн
500+26.78 грн
1000+21.63 грн
3000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 294
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.79 грн
12+36.06 грн
100+26.95 грн
250+23.80 грн
500+21.62 грн
1000+19.60 грн
2000+17.75 грн
2500+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.66 грн
313+39.70 грн
330+37.63 грн
500+32.10 грн
1000+25.94 грн
5000+23.93 грн
10000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.50 грн
16+45.51 грн
25+45.27 грн
100+34.24 грн
250+31.50 грн
500+25.51 грн
1000+22.25 грн
3000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.34 грн
10+44.94 грн
100+32.34 грн
250+28.56 грн
500+25.95 грн
1000+23.53 грн
2000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 885878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.43 грн
20+43.61 грн
100+33.62 грн
500+25.41 грн
1000+20.18 грн
5000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.09 грн
10+44.18 грн
100+29.66 грн
500+26.18 грн
1000+22.62 грн
2500+22.46 грн
5000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 13514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.00 грн
10+56.47 грн
100+37.29 грн
500+27.26 грн
1000+24.77 грн
2000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.