BSC340N08NS3GATMA1

BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies


bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC340N08NS3GATMA1 за ціною від 15.13 грн до 93.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.96 грн
10000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 31292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
446+27.89 грн
465+26.77 грн
500+25.80 грн
1000+24.07 грн
2500+21.63 грн
5000+20.20 грн
10000+19.71 грн
25000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 885890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.75 грн
500+25.39 грн
1000+20.15 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
294+42.35 грн
375+33.22 грн
377+33.01 грн
500+26.85 грн
1000+21.68 грн
3000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 294
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.90 грн
12+36.15 грн
100+27.01 грн
250+23.86 грн
500+21.67 грн
1000+19.65 грн
2000+17.79 грн
2500+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.78 грн
313+39.80 грн
330+37.72 грн
500+32.18 грн
1000+26.00 грн
5000+23.98 грн
10000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.64 грн
16+45.61 грн
25+45.37 грн
100+34.32 грн
250+31.57 грн
500+25.57 грн
1000+22.30 грн
3000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
10+45.05 грн
100+32.41 грн
250+28.63 грн
500+26.01 грн
1000+23.58 грн
2000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 885888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.57 грн
20+43.72 грн
100+33.70 грн
500+25.47 грн
1000+20.23 грн
5000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.23 грн
10+44.28 грн
100+29.73 грн
500+26.24 грн
1000+22.67 грн
2500+22.51 грн
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
на замовлення 13518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.22 грн
10+56.61 грн
100+37.38 грн
500+27.33 грн
1000+24.83 грн
2000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.