Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC360N15NS3GATMA1
BSC360N15NS3GATMA1

BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.11 грн
15000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 74W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Інші пропозиції BSC360N15NS3GATMA1 за ціною від 50.17 грн до 219.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.89 грн
132+107.44 грн
149+95.68 грн
500+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.57 грн
50+74.67 грн
100+62.84 грн
500+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.61 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.26 грн
10+142.17 грн
50+107.64 грн
100+92.45 грн
500+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON 1849723.html Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON 1849723.html Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+141.89 грн
132+107.44 грн
149+95.68 грн
500+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.21 грн
10+98.57 грн
50+74.67 грн
100+62.84 грн
500+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+193.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+193.61 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+219.26 грн
10+142.17 грн
50+107.64 грн
100+92.45 грн
500+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 infineonbsc360n15ns3dsv0200en.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 1849723.html
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 1849723.html
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.