BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 47.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC360N15NS3GATMA1 за ціною від 51.42 грн до 170.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC360N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC360N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC360N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V |
на замовлення 5216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC360N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSC360N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSC360N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Drain current: 33A Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 150V Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |