Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC360N15NS3GATMA1
BSC360N15NS3GATMA1

BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
на замовлення 4357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.17 грн
10+98.80 грн
100+67.37 грн
500+50.61 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSC360N15NS3GATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.