Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC430N25NSFDATMA1
BSC430N25NSFDATMA1

BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+352.54 грн
10+226.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.034 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS FD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC430N25NSFDATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC430N25NSFD_DS_v02_01_EN-1840559.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 INFINEON Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447 Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.034 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon_BSC430N25NSFD_DS_v02_01_EN-1840559.pdf
BSC430N25NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
BSC430N25NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.034 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.