Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC430N25NSFDATMA1
BSC430N25NSFDATMA1

BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.09 грн
10+249.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS FD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

Інші пропозиції BSC430N25NSFDATMA1 за ціною від 452.48 грн до 452.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447 Trans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447 Trans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+452.48 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC430N25NSFD_DS_v02_01_EN-1840559.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 INFINEON Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447 Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 INFINEON Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447 Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
BSC430N25NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+452.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
BSC430N25NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+452.48 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon_BSC430N25NSFD_DS_v02_01_EN-1840559.pdf
BSC430N25NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
BSC430N25NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
BSC430N25NSFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.