BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 21.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 29W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSC440N10NS3GATMA1 за ціною від 20.57 грн до 70.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 29W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 20291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V |
на замовлення 7516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 29W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 20291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC440N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |