Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC500N20NS3GATMA1
BSC500N20NS3GATMA1

BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Інші пропозиції BSC500N20NS3GATMA1 за ціною від 54.00 грн до 204.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.21 грн
10+90.39 грн
25+88.41 грн
100+75.91 грн
250+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.21 грн
157+90.39 грн
160+88.41 грн
180+75.91 грн
250+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+110.32 грн
146+97.12 грн
149+95.23 грн
500+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.38 грн
100+87.71 грн
500+66.39 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC500N20NS3_G_DataSheet_v02_01_EN-3360765.pdf MOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS27100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS27100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.21 грн
10+90.39 грн
25+88.41 грн
100+75.91 грн
250+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
139+102.21 грн
157+90.39 грн
160+88.41 грн
180+75.91 грн
250+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+110.32 грн
146+97.12 грн
149+95.23 грн
500+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.58 грн
10+127.38 грн
100+87.71 грн
500+66.39 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 Infineon_BSC500N20NS3_G_DataSheet_v02_01_EN-3360765.pdf
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 INFNS27100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 INFNS27100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.