BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies


BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V.

Інші пропозиції BSC600N25NS3GATMA1 за ціною від 105.17 грн до 348.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948 Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 35027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.51 грн
10+219.22 грн
100+154.27 грн
500+118.76 грн
1000+110.41 грн
2000+105.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC600N25NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 29955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.65 грн
10+225.33 грн
100+145.90 грн
500+121.93 грн
1000+113.48 грн
2500+106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 35027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+346.51 грн
10+219.22 грн
100+154.27 грн
500+118.76 грн
1000+110.41 грн
2000+105.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon-BSC600N25NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 29955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+348.65 грн
10+225.33 грн
100+145.90 грн
500+121.93 грн
1000+113.48 грн
2500+106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.