BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC600N25NS3GATMA1 за ціною від 103.97 грн до 281.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC600N25NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
BSC600N25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |