BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies


BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції BSC600N25NS3GATMA1 за ціною від 103.78 грн до 294.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948 Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 29497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.04 грн
10+186.42 грн
100+131.16 грн
500+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC600N25NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 29955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948 Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 28782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948 Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 28782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 29497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.04 грн
10+186.42 грн
100+131.16 грн
500+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon-BSC600N25NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 29955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 28782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 28782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.