Технічний опис BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC670N25NSFDATMA1 за ціною від 141.62 грн до 338.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC670N25NSFDATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
BSC670N25NSFDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BSC670N25NSFDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC670N25NSFDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 141.62 грн |
| BSC670N25NSFDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 189.41 грн |
| BSC670N25NSFDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 338.35 грн |
| 55+ | 257.56 грн |
| 63+ | 223.61 грн |
| 100+ | 205.47 грн |
| 200+ | 189.20 грн |
| 500+ | 167.58 грн |
| 1000+ | 159.56 грн |
| 2000+ | 155.54 грн |
| 5000+ | 150.52 грн |
| BSC670N25NSFDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC670N25NSFDATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC670N25NSFDATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.067 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)