Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC883N03LSGATMA1
BSC883N03LSGATMA1

BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies

bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
801+44.08 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 57, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції BSC883N03LSGATMA1 за ціною від 36.25 грн до 44.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
801+44.08 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
801+44.08 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
801+44.08 грн
1000+40.65 грн
10000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 INFINEON BSC883N03LS_G.pdf BSC883N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS BSC883N03LS_G.pdf BSC883N03LS_G.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03LSGATMA1 - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf
BSC883N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
801+44.08 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf
BSC883N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
801+44.08 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf
BSC883N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
801+44.08 грн
1000+40.65 грн
10000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 801 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LS_G.pdf BSC883N03LS_G.pdf
BSC883N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LS_G.pdf BSC883N03LS_G.pdf
BSC883N03LSGATMA1
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03LSGATMA1 - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 814 шт
В кошику  од. на суму  грн.