Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > BSC889N03LSGATMA1

BSC889N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

BSC889N03LS_G.pdf
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC889N03LSGATMA1 - BSC889N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC889N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC889N03LSGATMA1 - BSC889N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSC889N03LSGATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC889N03LS_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03LS_G.pdf
BSC889N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.