на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.16 грн |
14+ | 23.42 грн |
100+ | 12.68 грн |
1000+ | 6.88 грн |
3000+ | 5.94 грн |
9000+ | 5.14 грн |
24000+ | 4.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD214SN H6327 Infineon Technologies
Description: BSD314 - 250V-600V SMALL SIGNAL/, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BSD214SN H6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BSD214SNH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSD314 - 250V-600V SMALL SIGNAL/ Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V |
товар відсутній |