BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.93 грн |
| 6000+ | 4.29 грн |
| 9000+ | 4.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSD214SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.
Інші пропозиції BSD214SNH6327XTSA1 за ціною від 5.85 грн до 29.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 11219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD214SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSD214SNH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 5.85 грн |
| BSD214SNH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 5.87 грн |
| BSD214SNH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 20+ | 15.49 грн |
| 100+ | 9.74 грн |
| 500+ | 6.78 грн |
| 1000+ | 6.02 грн |
| BSD214SNH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon
N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 29.97 грн |
| BSD214SNH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSD214SNH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD214SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: INFINEON - BSD214SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)