Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD214SNH6327XTSA1
BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.08 грн
6000+4.42 грн
9000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSD214SNH6327XTSA1 за ціною від 3.81 грн до 30.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSD214SN_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.49 грн
22+15.24 грн
100+8.39 грн
500+6.27 грн
1000+5.43 грн
3000+4.09 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
20+15.96 грн
100+10.03 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Infineon info-tbsd214sn.pdf N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 Infineon_BSD214SN_DS_v02_04_en.pdf
BSD214SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.49 грн
22+15.24 грн
100+8.39 грн
500+6.27 грн
1000+5.43 грн
3000+4.09 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4
BSD214SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.96 грн
20+15.96 грн
100+10.03 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 info-tbsd214sn.pdf
BSD214SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.