BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BSD214SNH6327XTSA1 за ціною від 4.34 грн до 28.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V |
на замовлення 5942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 6045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 1.5A Drain-source voltage: 20V Case: SOT363 Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSD214SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 1.5A Drain-source voltage: 20V Case: SOT363 Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |