Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD214SNH6327XTSA1
BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsd214sn_rev_2.4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSD214SNH6327XTSA1 за ціною від 4.07 грн до 27.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD214SN_Rev_2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011b01d1628230a0 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.34 грн
6000+4.80 грн
9000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsd214sn_rev_2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSD214SN_DS_v02_04_en-1731270.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.29 грн
22+16.14 грн
100+8.83 грн
500+6.72 грн
1000+5.81 грн
3000+4.38 грн
6000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD214SN_Rev_2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011b01d1628230a0 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.75 грн
20+16.35 грн
100+7.44 грн
500+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSD214SN_Rev_2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011b01d1628230a0 N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsd214sn_rev_2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsd214sn_rev_2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.