Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD214SNH6327XTSA1
BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsd214sn_rev_2.4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSD214SNH6327XTSA1 за ціною від 4.31 грн до 28.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.48 грн
6000+4.76 грн
9000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsd214sn_rev_2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.78 грн
22+15.64 грн
100+9.84 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSD214SN_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.88 грн
22+17.27 грн
100+9.50 грн
500+7.11 грн
1000+6.15 грн
3000+4.63 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4 N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsd214sn_rev_2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsd214sn_rev_2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD214SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.