BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies


BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.87 грн
9000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції BSD223PH6327XTSA1 за ціною від 3.99 грн до 31.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
6000+6.77 грн
9000+4.75 грн
15000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
6000+6.78 грн
9000+4.75 грн
15000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1440+9.89 грн
1455+9.79 грн
1684+8.46 грн
1701+8.07 грн
3000+6.61 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+16.14 грн
888+16.04 грн
1457+9.78 грн
2000+8.62 грн
5000+7.53 грн
12000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.28 грн
47+16.26 грн
48+16.10 грн
100+9.54 грн
250+8.74 грн
500+7.25 грн
1000+7.18 грн
3000+6.35 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.33 грн
23+18.16 грн
50+12.38 грн
100+10.56 грн
250+8.58 грн
500+7.34 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.46 грн
100+11.05 грн
500+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf MOSFETs P-Ch DPAK-2
на замовлення 64671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON INFNS30434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.55 грн
6000+6.77 грн
9000+4.75 грн
15000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.56 грн
6000+6.78 грн
9000+4.75 грн
15000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1440+9.89 грн
1455+9.79 грн
1684+8.46 грн
1701+8.07 грн
3000+6.61 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
883+16.14 грн
888+16.04 грн
1457+9.78 грн
2000+8.62 грн
5000+7.53 грн
12000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.28 грн
47+16.26 грн
48+16.10 грн
100+9.54 грн
250+8.74 грн
500+7.25 грн
1000+7.18 грн
3000+6.35 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.33 грн
23+18.16 грн
50+12.38 грн
100+10.56 грн
250+8.58 грн
500+7.34 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1021+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.46 грн
100+11.05 грн
500+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch DPAK-2
на замовлення 64671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 INFNS30434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.