Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD223PH6327XTSA1
BSD223PH6327XTSA1

BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSD223PH6327XTSA1 за ціною від 3.48 грн до 27.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.59 грн
6000+5.91 грн
9000+4.15 грн
15000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.07 грн
6000+6.34 грн
9000+4.44 грн
15000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1440+8.64 грн
1455+8.55 грн
1684+7.39 грн
1701+7.05 грн
3000+5.77 грн
6000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 1440
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
883+14.09 грн
888+14.01 грн
1457+8.54 грн
2000+7.53 грн
5000+6.58 грн
12000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.55 грн
250+10.19 грн
1000+7.21 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.90 грн
30+13.67 грн
50+9.46 грн
100+8.01 грн
250+6.71 грн
500+5.82 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+21.79 грн
47+15.22 грн
48+15.07 грн
100+8.93 грн
250+8.18 грн
500+6.78 грн
1000+6.72 грн
3000+5.94 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.08 грн
18+17.03 грн
50+11.35 грн
100+9.61 грн
250+8.05 грн
500+6.99 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.19 грн
23+14.31 грн
100+8.83 грн
500+6.80 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf MOSFETs P-Ch DPAK-2
на замовлення 34414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.72 грн
23+15.98 грн
100+8.62 грн
500+6.99 грн
1000+6.21 грн
3000+5.20 грн
6000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1021+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 1021
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.61 грн
53+16.55 грн
250+10.19 грн
1000+7.21 грн
5000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.