Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD223PH6327XTSA1
BSD223PH6327XTSA1

BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.21 грн
9000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції BSD223PH6327XTSA1 за ціною від 3.96 грн до 33.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+6.72 грн
9000+4.71 грн
15000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
6000+6.73 грн
9000+4.71 грн
15000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1440+9.83 грн
1455+9.72 грн
1684+8.40 грн
1701+8.02 грн
3000+6.57 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+16.03 грн
888+15.94 грн
1457+9.71 грн
2000+8.56 грн
5000+7.48 грн
12000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.13 грн
47+16.15 грн
48+15.99 грн
100+9.47 грн
250+8.68 грн
500+7.20 грн
1000+7.13 грн
3000+6.30 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.76 грн
28+15.70 грн
100+8.91 грн
250+7.30 грн
500+6.36 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 61832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
16+19.55 грн
50+14.13 грн
100+11.60 грн
500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf MOSFETs P-Ch DPAK-2
на замовлення 67058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON INFNS30434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.50 грн
6000+6.72 грн
9000+4.71 грн
15000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.51 грн
6000+6.73 грн
9000+4.71 грн
15000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1440+9.83 грн
1455+9.72 грн
1684+8.40 грн
1701+8.02 грн
3000+6.57 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 1440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
883+16.03 грн
888+15.94 грн
1457+9.71 грн
2000+8.56 грн
5000+7.48 грн
12000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.13 грн
47+16.15 грн
48+15.99 грн
100+9.47 грн
250+8.68 грн
500+7.20 грн
1000+7.13 грн
3000+6.30 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.76 грн
28+15.70 грн
100+8.91 грн
250+7.30 грн
500+6.36 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1021+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 61832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.30 грн
16+19.55 грн
50+14.13 грн
100+11.60 грн
500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch DPAK-2
на замовлення 67058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 INFNS30434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.