Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD223PH6327XTSA1
BSD223PH6327XTSA1

BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.67 грн
6000+4.93 грн
9000+4.66 грн
15000+4.09 грн
21000+3.92 грн
30000+3.76 грн
75000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSD223PH6327XTSA1 за ціною від 3.62 грн до 27.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.86 грн
6000+6.15 грн
9000+4.31 грн
15000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.36 грн
6000+6.60 грн
9000+4.62 грн
15000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1440+8.99 грн
1455+8.89 грн
1684+7.68 грн
1701+7.33 грн
3000+6.01 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 1440
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
883+14.66 грн
888+14.57 грн
1457+8.88 грн
2000+7.83 грн
5000+6.85 грн
12000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.93 грн
37+11.34 грн
100+7.31 грн
250+6.16 грн
500+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.93 грн
250+9.88 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.12 грн
22+14.13 грн
100+8.78 грн
250+7.40 грн
500+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf MOSFETs P-Ch DPAK-2
на замовлення 34414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.62 грн
23+14.05 грн
100+7.58 грн
500+6.14 грн
1000+5.46 грн
3000+4.57 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+22.67 грн
47+15.83 грн
48+15.67 грн
100+9.28 грн
250+8.51 грн
500+7.06 грн
1000+6.99 грн
3000+6.18 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+25.25 грн
50+15.93 грн
250+9.88 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 102337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.12 грн
19+15.68 грн
100+9.87 грн
500+6.88 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1021+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 1021
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.