Інші пропозиції BSD235CH6327XTSA1 за ціною від 4.36 грн до 34.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 635 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 26064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 35980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active |
на замовлення 28755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 |
на замовлення 261120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 21699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Виробник : Vishay Semiconductor |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 47 @ 10, Qg, нКл = 0,34 @ 4,5 В, Rds = 350 мОм @ 950 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1,6 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id = 950 мА, 530 мА,... Група товару: Транзистори кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |