Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSD235CH6327XTSA1

BSD235CH6327XTSA1

BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
Код товару: 118906
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSD235CH6327XTSA1 за ціною від 4.47 грн до 29.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
6000+5.58 грн
9000+5.29 грн
15000+4.66 грн
21000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon TBSD235c_0001.pdf Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon TBSD235c_0001.pdf Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.10 грн
9000+7.59 грн
24000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.14 грн
9000+7.62 грн
24000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 35980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+24.82 грн
572+24.70 грн
780+18.11 грн
1000+14.06 грн
9000+10.28 грн
18000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.38 грн
18+17.35 грн
100+10.98 грн
500+7.70 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.40 грн
21+19.85 грн
50+13.65 грн
100+11.42 грн
250+9.18 грн
500+7.86 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSD235C_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 218793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001300642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.40 грн
6000+5.58 грн
9000+5.29 грн
15000+4.66 грн
21000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c_0001.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c_0001.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.10 грн
9000+7.59 грн
24000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.14 грн
9000+7.62 грн
24000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 35980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
569+24.82 грн
572+24.70 грн
780+18.11 грн
1000+14.06 грн
9000+10.28 грн
18000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.38 грн
18+17.35 грн
100+10.98 грн
500+7.70 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.40 грн
21+19.85 грн
50+13.65 грн
100+11.42 грн
250+9.18 грн
500+7.86 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 Infineon_BSD235C_DS_v02_04_EN.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 218793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 INFN-S-A0001300642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.