Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD235CH6327XTSA1
BSD235CH6327XTSA1

BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies

1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSD235CH6327XTSA1 за ціною від 4.77 грн до 35.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.12 грн
9000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.78 грн
6000+ 7.18 грн
9000+ 6.46 грн
30000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
669+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 669
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.8 грн
500+ 13.04 грн
1000+ 9.01 грн
3000+ 7.44 грн
6000+ 7.06 грн
12000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 46949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.36 грн
13+ 21.58 грн
100+ 12.93 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSD235C_DS_v02_04_EN-1226190.pdf MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 371866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.45 грн
14+ 21.71 грн
100+ 10.55 грн
1000+ 7.21 грн
3000+ 5.97 грн
9000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 33069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+35.15 грн
30+ 25 грн
100+ 12.8 грн
500+ 9.42 грн
1000+ 6.37 грн
5000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Код товару: 118906 		BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
товар відсутній