BSD235NH6327XTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 5.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD235NH6327XTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BSD235NH6327XTSA1 за ціною від 5.04 грн до 31.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2503 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 |
на замовлення 97263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.53 грн |
| 6000+ | 5.69 грн |
| 9000+ | 5.39 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.44 грн |
| 6000+ | 6.09 грн |
| 9000+ | 6.01 грн |
| 24000+ | 5.38 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.44 грн |
| 6000+ | 6.09 грн |
| 9000+ | 6.01 грн |
| 24000+ | 5.38 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1601+ | 8.83 грн |
| 1656+ | 8.54 грн |
| 2500+ | 8.29 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 14.62 грн |
| 36+ | 11.88 грн |
| 40+ | 10.86 грн |
| 54+ | 7.89 грн |
| 100+ | 6.96 грн |
| 250+ | 5.94 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 5.18 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 930+ | 15.21 грн |
| 1545+ | 9.16 грн |
| 1774+ | 7.98 грн |
| 1841+ | 7.41 грн |
| 3000+ | 6.41 грн |
| 6000+ | 5.04 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.13 грн |
| 18+ | 17.87 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| 500+ | 7.87 грн |
| 1000+ | 7.00 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 97263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.08 грн |
| 17+ | 19.21 грн |
| 100+ | 10.57 грн |
| 500+ | 7.89 грн |
| 1000+ | 6.98 грн |
| 6000+ | 6.27 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSD235NH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)