Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD235NH6327XTSA1
BSD235NH6327XTSA1

BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies

1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSD235NH6327XTSA1 за ціною від 5.14 грн до 26.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.27 грн
6000+ 6.71 грн
9000+ 6.04 грн
30000+ 5.59 грн
75000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
On-state resistance: 0.35Ω
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+8.91 грн
100+ 7.3 грн
135+ 6.02 грн
371+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 43
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.44 грн
500+ 6.95 грн
1500+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
On-state resistance: 0.35Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+10.69 грн
100+ 9.1 грн
135+ 7.23 грн
371+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.2 грн
61+ 12.36 грн
100+ 9.44 грн
500+ 6.95 грн
1500+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD235N_Rev2_5-3360396.pdf MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 352058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.25 грн
20+ 16.12 грн
100+ 9.48 грн
1000+ 6.54 грн
3000+ 5.81 грн
9000+ 5.21 грн
24000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.72 грн
14+ 20.17 грн
100+ 12.09 грн
500+ 10.5 грн
1000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD235NH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 100