Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD314SPEH6327XTSA1
BSD314SPEH6327XTSA1

BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSD314SPE-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132482ca5c6248a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
14+21.35 грн
100+14.54 грн
500+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції BSD314SPEH6327XTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSD314SPEH6327XTSA1 BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSD314SPE_DS_v02_04_en-1226215.pdf MOSFETs P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1 BSD314SPEH6327XTSA1 INFINEON INFNS22454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1 BSD314SPEH6327XTSA1 INFINEON INFNS22454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon_BSD314SPE_DS_v02_04_en-1226215.pdf
BSD314SPEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1 INFNS22454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD314SPEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD314SPEH6327XTSA1 INFNS22454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD314SPEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.