Продукція > INFINEON > BSD840NH6327XTSA1
BSD840NH6327XTSA1

BSD840NH6327XTSA1 Infineon

TBSD840n_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD840NH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSD840NH6327XTSA1 за ціною від 3.99 грн до 32.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
6000+5.23 грн
9000+4.94 грн
15000+4.34 грн
21000+4.16 грн
30000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.10 грн
250+12.66 грн
1000+7.51 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.50 грн
26+16.46 грн
50+11.11 грн
100+9.42 грн
250+7.72 грн
500+6.62 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2 4.pdf MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 53654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.29 грн
23+14.59 грн
100+9.37 грн
500+7.05 грн
1000+5.99 грн
3000+4.79 грн
6000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 168880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
19+16.57 грн
100+10.40 грн
500+7.26 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.65 грн
50+17.10 грн
250+12.66 грн
1000+7.51 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.00 грн
6000+5.23 грн
9000+4.94 грн
15000+4.34 грн
21000+4.16 грн
30000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.10 грн
250+12.66 грн
1000+7.51 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+26.50 грн
26+16.46 грн
50+11.11 грн
100+9.42 грн
250+7.72 грн
500+6.62 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2 4.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 53654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.29 грн
23+14.59 грн
100+9.37 грн
500+7.05 грн
1000+5.99 грн
3000+4.79 грн
6000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 168880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.55 грн
19+16.57 грн
100+10.40 грн
500+7.26 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+32.65 грн
50+17.10 грн
250+12.66 грн
1000+7.51 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.