BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BSD840NH6327XTSA1 за ціною від 4.38 грн до 30.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Power dissipation: 0.5W Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 |
на замовлення 7320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Power dissipation: 0.5W Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7320 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 101330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 101330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 |
на замовлення 75967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 148179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TBSD840n |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |