Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD840NH6327XTSA1
BSD840NH6327XTSA1

BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.01 грн
6000+5.23 грн
9000+4.95 грн
15000+4.35 грн
21000+4.17 грн
30000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSD840NH6327XTSA1 за ціною від 3.39 грн до 31.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+6.15 грн
900000+5.62 грн
1350000+5.23 грн
1800000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.20 грн
6000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.32 грн
6000+5.73 грн
9000+5.27 грн
15000+4.79 грн
21000+4.15 грн
30000+3.66 грн
75000+3.62 грн
150000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.65 грн
6000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.75 грн
6000+6.11 грн
9000+5.61 грн
15000+5.10 грн
21000+4.43 грн
30000+3.90 грн
75000+3.86 грн
150000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+11.44 грн
1510+8.55 грн
1786+7.23 грн
2000+6.37 грн
9000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.16 грн
250+9.27 грн
1000+7.18 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.21 грн
26+16.28 грн
50+10.99 грн
100+9.32 грн
250+7.64 грн
500+6.55 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.66 грн
50+17.16 грн
250+9.27 грн
1000+7.18 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD840N_Rev2 4.pdf MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 53654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.98 грн
23+14.43 грн
100+9.27 грн
500+6.97 грн
1000+5.93 грн
3000+4.74 грн
6000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 175515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.24 грн
19+16.54 грн
100+10.42 грн
500+7.28 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.