Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD840NH6327XTSA1
BSD840NH6327XTSA1

BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSD840NH6327XTSA1 за ціною від 3.18 грн до 30.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.50 грн
6000+4.92 грн
9000+4.13 грн
15000+3.82 грн
21000+3.81 грн
30000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+5.77 грн
900000+5.27 грн
1350000+4.91 грн
1800000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.82 грн
6000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.94 грн
6000+5.38 грн
9000+4.94 грн
15000+4.49 грн
21000+3.89 грн
30000+3.43 грн
75000+3.40 грн
150000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.24 грн
6000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.33 грн
6000+5.74 грн
9000+5.27 грн
15000+4.79 грн
21000+4.16 грн
30000+3.66 грн
75000+3.63 грн
150000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+10.74 грн
1510+8.03 грн
1786+6.78 грн
2000+5.98 грн
9000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.77 грн
250+9.44 грн
1000+7.48 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.89 грн
24+17.30 грн
50+12.11 грн
100+10.36 грн
186+5.02 грн
510+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 67766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.31 грн
21+15.78 грн
100+8.19 грн
500+7.05 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.84 грн
50+17.77 грн
250+9.44 грн
1000+7.48 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.87 грн
14+21.55 грн
50+14.54 грн
100+12.43 грн
186+6.03 грн
510+5.74 грн
6000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSD840N_Rev2_4-3360436.pdf MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 104941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.53 грн
20+18.13 грн
100+8.19 грн
500+7.73 грн
1000+6.58 грн
3000+5.28 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.