Продукція > INFINEON > BSD840NH6327XTSA1
BSD840NH6327XTSA1

BSD840NH6327XTSA1 Infineon

TBSD840n_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD840NH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSD840NH6327XTSA1 за ціною від 3.69 грн до 32.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.73 грн
900000+6.14 грн
1350000+5.72 грн
1800000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
6000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.89 грн
6000+6.24 грн
9000+5.73 грн
15000+5.21 грн
21000+4.52 грн
30000+3.98 грн
75000+3.94 грн
150000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
6000+6.27 грн
9000+5.76 грн
15000+5.23 грн
21000+4.54 грн
30000+4.00 грн
75000+3.96 грн
150000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.51 грн
1510+9.35 грн
1786+7.90 грн
2000+6.97 грн
9000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.67 грн
24+18.24 грн
50+12.08 грн
100+10.02 грн
250+8.05 грн
500+7.02 грн
1000+6.17 грн
3000+5.31 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2 4.pdf MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+6.73 грн
900000+6.14 грн
1350000+5.72 грн
1800000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.78 грн
6000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.78 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.89 грн
6000+6.24 грн
9000+5.73 грн
15000+5.21 грн
21000+4.52 грн
30000+3.98 грн
75000+3.94 грн
150000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.91 грн
6000+6.27 грн
9000+5.76 грн
15000+5.23 грн
21000+4.54 грн
30000+4.00 грн
75000+3.96 грн
150000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1128+12.51 грн
1510+9.35 грн
1786+7.90 грн
2000+6.97 грн
9000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.67 грн
24+18.24 грн
50+12.08 грн
100+10.02 грн
250+8.05 грн
500+7.02 грн
1000+6.17 грн
3000+5.31 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2 4.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.