Продукція > BOURNS INC. > BSDB10S65E6

BSDB10S65E6 Bourns Inc.

BSDB10S65E6.pdf Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+140.09 грн
1600+ 115.51 грн
2400+ 108.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSDB10S65E6 Bourns Inc.

Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

Інші пропозиції BSDB10S65E6 за ціною від 104.82 грн до 251.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSDB10S65E6 Виробник : Bourns Inc. BSDB10S65E6.pdf Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.82 грн
10+ 187.56 грн
100+ 151.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDB10S65E6 Виробник : Bourns BSDB10S65E6-3317286.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A LOW VF SIC TO263
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.58 грн
10+ 208.83 грн
100+ 146.21 грн
250+ 138.2 грн
500+ 130.18 грн
1000+ 110.82 грн
3200+ 104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDB10S65E6 Виробник : Bourns BSDB10S65E6.pdf 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO263
товар відсутній