Продукція > BOURNS INC. > BSDD10S65E6
BSDD10S65E6

BSDD10S65E6 Bourns Inc.

BSDD10S65E6.pdf
Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+118.15 грн
5000+109.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSDD10S65E6 Bourns Inc.

Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

Інші пропозиції BSDD10S65E6 за ціною від 108.38 грн до 260.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSDD10S65E6 BSDD10S65E6 Bourns Inc. BSDD10S65E6.pdf Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.09 грн
10+196.24 грн
100+158.76 грн
500+132.43 грн
1000+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD10S65E6 BSDD10S65E6 Bourns BSDB10S65E6-3317286.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A LOW VF SIC TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.14 грн
10+215.94 грн
100+151.18 грн
250+142.90 грн
500+134.62 грн
1000+123.57 грн
5000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD10S65E6 BSDD10S65E6.pdf
BSDD10S65E6
Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.09 грн
10+196.24 грн
100+158.76 грн
500+132.43 грн
1000+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSDD10S65E6 BSDB10S65E6-3317286.pdf
BSDD10S65E6
Виробник: Bourns
SiC Schottky Diodes 650V 10A LOW VF SIC TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.14 грн
10+215.94 грн
100+151.18 грн
250+142.90 грн
500+134.62 грн
1000+123.57 грн
5000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.