BSDH08G65E2 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.56 грн |
| 50+ | 111.66 грн |
| 100+ | 102.00 грн |
| 500+ | 79.58 грн |
| 1000+ | 75.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDH08G65E2 Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції BSDH08G65E2 за ціною від 80.00 грн до 228.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDH08G65E2 | Виробник : Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSDH08G65E2 | Виробник : Bourns |
650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 |
товару немає в наявності |