BSDH08G65E2 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 212.82 грн |
| 50+ | 111.28 грн |
| 100+ | 101.65 грн |
| 500+ | 79.31 грн |
| 1000+ | 74.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDH08G65E2 Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції BSDH08G65E2 за ціною від 103.27 грн до 143.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDH08G65E2 | Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSDH08G65E2 | BOURNS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V Mounting: THT Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Leakage current: 40µA Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.7V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSDH08G65E2 |
|
Виробник: Bourns
SiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
SiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSDH08G65E2 |
|
Виробник: BOURNS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Leakage current: 40µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.7V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Mounting: THT
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Leakage current: 40µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.7V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 143.13 грн |
| 500+ | 116.82 грн |
| 1000+ | 115.13 грн |
| 3000+ | 103.27 грн |