BSDH10G120E2 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE SIC 1200V 10A TO220-2
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 371.85 грн |
| 50+ | 283.44 грн |
| 100+ | 242.95 грн |
| 500+ | 202.67 грн |
| 1000+ | 173.53 грн |
| 2000+ | 163.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDH10G120E2 Bourns Inc.
Description: DIODE SIC 1200V 10A TO220-2, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky.
Інші пропозиції BSDH10G120E2 за ціною від 189.25 грн до 410.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDH10G120E2 | Bourns |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSDH10G120E2 |
|
Виробник: Bourns
SiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
SiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 410.23 грн |
| 10+ | 189.25 грн |