BSDH10G65E2 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.41 грн |
| 50+ | 164.10 грн |
| 100+ | 140.65 грн |
| 500+ | 117.33 грн |
| 1000+ | 100.47 грн |
| 2000+ | 94.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDH10G65E2 Bourns Inc.
Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції BSDH10G65E2 за ціною від 109.99 грн до 284.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDH10G65E2 | Виробник : Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|