BSDH10G65E2 BOURNS
Виробник: BOURNSDescription: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 218.40 грн |
| 10+ | 215.01 грн |
| 100+ | 111.74 грн |
| 500+ | 93.54 грн |
| 1000+ | 84.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDH10G65E2 BOURNS
Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSDH10G65E2 за ціною від 97.60 грн до 305.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDH10G65E2 | Виробник : Bourns Inc. |
Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSDH10G65E2 | Виробник : Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 |
на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|