Продукція > BOURNS INC. > BSDH10G65E2
BSDH10G65E2

BSDH10G65E2 Bourns Inc.

BSDH10G65E2.pdf
Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.00 грн
50+160.73 грн
100+137.76 грн
500+114.92 грн
1000+98.40 грн
2000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSDH10G65E2 Bourns Inc.

Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSDH10G65E2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSDH10G65E2 BSDH10G65E2 Bourns Bourns_06072023_BSDH10G65E2_datasheet.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G65E2 BSDH10G65E2 BOURNS BSDH10G65E2.pdf Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G65E2 Bourns_06072023_BSDH10G65E2_datasheet.pdf
BSDH10G65E2
Виробник: Bourns
SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSDH10G65E2 BSDH10G65E2.pdf
BSDH10G65E2
Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.