BSDL10S65E6 BOURNS
Виробник: BOURNSDescription: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 147.29 грн |
| 500+ | 112.40 грн |
| 1000+ | 96.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDL10S65E6 BOURNS
Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSDL10S65E6 за ціною від 96.50 грн до 361.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSDL10S65E6 | Виробник : BOURNS |
Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSDL10S65E6 | Виробник : Bourns Inc. |
Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSDL10S65E6 | Виробник : Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in DFN8x8 |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSDL10S65E6 | Виробник : Bourns Inc. |
Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |