Продукція > BOURNS > BSDL10S65E6
BSDL10S65E6

BSDL10S65E6 BOURNS

3968626.pdf Виробник: BOURNS
Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+166.26 грн
500+ 137.7 грн
1000+ 108.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSDL10S65E6 BOURNS

Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BSDL10S65E6 за ціною від 107.3 грн до 274.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSDL10S65E6 BSDL10S65E6 Виробник : Bourns Inc. BSDL10S65E6.pdf Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.65 грн
10+ 185.68 грн
100+ 150.22 грн
500+ 125.31 грн
1000+ 107.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDL10S65E6 BSDL10S65E6 Виробник : Bourns Bourns_06072023_BSDL10S65E6_datasheet-3223299.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in DFN8x8
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.36 грн
10+ 186.56 грн
100+ 161.56 грн
3000+ 142.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDL10S65E6 BSDL10S65E6 Виробник : BOURNS 3968626.pdf Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+274.86 грн
10+ 205.95 грн
100+ 166.26 грн
500+ 137.7 грн
1000+ 108.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSDL10S65E6 BSDL10S65E6 Виробник : Bourns Inc. BSDL10S65E6.pdf Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товар відсутній