BSDV10G120E2 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 439.97 грн |
| 10+ | 355.53 грн |
| 100+ | 287.60 грн |
| 500+ | 239.91 грн |
| 1000+ | 205.43 грн |
| 2000+ | 193.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDV10G120E2 Bourns Inc.
Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV.
Інші пропозиції BSDV10G120E2 за ціною від 201.48 грн до 481.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDV10G120E2 | Виробник : Bourns |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2 |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSDV10G120E2 | Виробник : Bourns |
1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2 |
товару немає в наявності |