BSDW20G120C2 BOURNS
Виробник: BOURNSDescription: BOURNS - BSDW20G120C2 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 22 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 520.81 грн |
| 5+ | 430.19 грн |
| 10+ | 338.74 грн |
| 50+ | 308.25 грн |
| 100+ | 278.73 грн |
| 250+ | 274.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDW20G120C2 BOURNS
Description: BOURNS - BSDW20G120C2 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 22 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSDW20G120C2 за ціною від 335.49 грн до 748.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSDW20G120C2 | Виробник : Bourns Inc. |
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BSDW20G120C2 | Виробник : Bourns |
SiC Schottky Diodes 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
