BSDW20G120C2 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 580.71 грн |
| 30+ | 331.31 грн |
| 120+ | 325.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDW20G120C2 Bourns Inc.
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції BSDW20G120C2 за ціною від 433.21 грн до 697.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDW20G120C2 | Bourns |
SiC Schottky Diodes 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSDW20G120C2 |
|
Виробник: Bourns
SiC Schottky Diodes 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
SiC Schottky Diodes 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 697.40 грн |
| 10+ | 573.40 грн |
| 600+ | 433.21 грн |