BSDW20G65C2 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.37 грн |
| 30+ | 342.59 грн |
| 120+ | 306.54 грн |
| 510+ | 253.83 грн |
| 1020+ | 228.45 грн |
| 2010+ | 214.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDW20G65C2 Bourns Inc.
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції BSDW20G65C2 за ціною від 295.77 грн до 497.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDW20G65C2 | Виробник : Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V each 10A High Surge Dual SiC schottky diode in TO247-3 |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSDW20G65C2 | Виробник : Bourns |
650V each 10A High Surge Dual SiC schottky diode in TO247-3 |
товару немає в наявності |