BSF035NE2LQXUMA1

BSF035NE2LQXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en-1731222.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 25V 69A CanPAK-2 SQ OptiMOS
на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSF035NE2LQXUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 12 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 69A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-WDSON, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSF035NE2LQXUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSF035NE2LQXUMA1 BSF035NE2LQXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c Description: MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.