BSF050N03LQ3G ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSF050N03LQ3G - BSF050N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
741+ | 32.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSF050N03LQ3G ROCHESTER ELECTRONICS
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: MG-WDSON-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSF050N03LQ3G за ціною від 34.76 грн до 34.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSF050N03LQ3G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V |
на замовлення 14925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|